제1장  반도체 재료의 발전과 진공과학의 기초
1.1 반도체 재료의 발전
1.2 기체의 분자운동론
1.2.1 분자의 운동 속도
1.2.2 압력
1.2.3 표면으로의 기체 입사
1.3 기체 수송과 펌핑
1.3.1 기체 흐름 영역
1.3.2 콘덕턴스
1.3.4 펌핑 속도
1.4 진공펌프와 시스템
1.4.1 진공 시스템에 맞는 진공펌프를선택하는 것은 중요하다.
1.4.2 펌프의 압력범위
1.4.3 진공펌프는 어떻게 짝을 짓는가?
1.4.4 저진공 펌프
1.4.5 rotary vane, oil-sealed mechanical pump
1.4.6 흡착펌프
1.4.7 오일확산펌프
1.4.8 터보분자펌프
1.4.9 극저온 펌프
1.4.10 티타늄 승화펌프
1.4.11 펌핑속도
1.4.12 티타늄 소스
1.4.13 이온펌프
1.4.14 이온펌프의 모양에 따른 펌핑특성
1.4.15 써모커플 게이지
1.4.16 피라니 게이지
1.4.17 이온 게이지
 ▣연습문제

제2장  실리콘의 제조 및 정제
2.1 실리콘의 제조
2.2 정 제
2.2.1 증류
2.2.2 융해
2.2.3 용해
2.2.4 응고
2.2.5 전기분해
2.2.6 이온교환
2.2.7 흡착
2.2.8 확산
2.3 대용융
2.3.1 편석계수
2.3.2 일방향 고화
2.3.3 대용융정제
2.3.4 존 레벨링
2.3.5 부유대용융법
2.3.6 화합물의 대용융
2.4 재료정제의 구체적인 예
2.4.1  실리콘
▣연습문제

제3장  실리콘 다결정의 분석
3.1 습식화학 분석
3.2 발광분광 분석
3.2.1 정성분석
3.2.2 정량분석
3.3 광흡수 분석
3.3.1 Lambert-Beer의 법칙
3.3.2 원자 흡광 분광분석
3.4  발광 X선 분광분석
3.5  전자조사 X선 마이크로 분석
3.6  오제이(Auger) 전자분광법에 의한 분석
3.7  광전자 분광법에 의한 분석
3.8  질량 분석법(mass spectrometry)
3.9  방사화 분석(radio-activation analysis)
▣연습문제

제4장  실리콘 단결정의 성장 및 평가
4.1 단결정 제작
4.2 단결정의 성장기구
4.2.1 코셀(Kossel) 기구
4.2.2 결정핵의 형성
4.2.3 프랭크(Frank) 기구-나선전위(screw dislocation)를 갖는 준완전 결정의 성장
4.3 여러 종류의 단결정 성장법
4.3.1 기상으로부터의 성장
4.3.2 액상에서의 성장(융액에서의 성장)
4.3.3 액상으로부터의 성장(용액으로부터의 성장)
4.4 단결정 성장의 실제
4.4.1 인상법(Czochralski법 : CZ법)에 의한Si 단결정 제작
4.4.2 부유대용융법(floating zone : FZ법)에 의한 Si 단결정의 제작
4.4.3 Si 리본결정
4.4.4 GaP의 인상
4.4.5 GaAs의 용액성장
4.4.6 분자선 에피택시
4.5 결정의 평가
4.5.1 격자결함
4.5.2 격자결함의 관찰방법
4.5.3 X선 토포그래피(topography)
 
    ▣연습문제

제5장  확산에 의한 도핑
5.1 결정 성장시 불순물의 도입
5.1.1 상태도와 고용도
5.1.2 단결정이 될 수 있는 불순물 첨가한도

5.2 확 산
      
5.2.1 확산현상
5.2.2 확산의 기초 미분 방정식
5.2.3 확산 기초 방정식의 풀이
5.2.4 확산계수의 온도 의존성
5.2.5 확산계수의 농도 의존성
5.2.6 확산계수의 측정
5.2.7 확산 기술
    ▣연습문제

제6장  이온주입에 의한 도핑
6.1 이온주입
6.1.1 이온주입법
6.1.2 이온주입의 기초현상
6.1.3 반도체의 이온주입
6.1.4 공정 기술로서의 이온주입
6.2 불순물 첨가층의 평가
6.2.1 표면으로부터의 측정
6.2.2 층마다의 측정
6.2.3 면 내의 균일성
    ▣연습문제

제7장  실리콘 산화막의 형성
7.1 반도체공정에서 절연막의 이용
7.2 물질의 산화현상
7.3 Si의 산화
7.3.1 Si표면의 고온산화
7.3.2 Si의 산화 기구
7.3.3 산화에 있어서 불순물의 존재 및 결정축의 효과
7.3.4 특수한 산화법
    ▣연습문제

제8장  절연박막의 제작 및 평가
8.1 박막의 제작 및 평가법
8.1.1 기상 화학반응법
8.1.2 물리적 방법에 의한 퇴적법
8.2 절연막의 특성과 평가
8.2.1 막의 두께 측정
8.2.2 막의 구조적 성질의 평가
    ▣연습문제

제9장  에 칭
9.1 에칭의 특성
9.1.1 에칭 속도
9.1.2 에칭의 선택성
9.1.3 에칭 후의 현상
9.1.4 에칭 후처리
9.2 습식(화학)에칭
9.2.1 기계가공에 의한 변형층의 제거법
9.2.2 에치피트 관찰용 에칭
9.2.3 결정면 선택 에칭
9.2.4 접합구조의 관찰에 사용 되는 에칭
9.3 광에칭
9.3.1 개 요
9.3.2 에칭의 정밀도와 형태의 제어
9.4 건식에칭
9.4.1 건식에칭의 종류
9.4.2 건식에칭의 특징

제10장  집적회로의 제조공정
10.1 노광기술
10.1.1 일괄처리 공정
10.1.2 노광공정
10.1.3 새로운 노광기술
10.2 접합 형성법
10.2.1 접합의 설계
10.2.2 접합형성상 유의해야 할 사항
10.3 전극과 배선
10.3.1 금속과 반도체의 접촉
10.3.2 전극의 형성
10.3.3 전극의 신뢰성
10.3.4 조립
10.4 집적화 기술
10.4.1 수율(Yield)과 최적 집적도
10.4.2 설계기술
10.4.3 집적화의 구조
10.4.4 집적화 가공공정의 예
10.5 공정 환경
10.5.1 결함과 먼지
10.5.2 무진실
10.5.3 청정도의 측정
10.5.4 증류수
10.5.5 약품, 가스의 순도
    ▣연습문제

부록
부록 1
부록 2
부록 3
부록 4
부록 5
부록 6
부록 7